特許
J-GLOBAL ID：200903031585156912
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005093
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196575
出願日： 2000年01月13日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 GaN系電界効果トランジスタにおいて、GaNのバッファー層中の残留キャリアの伝導によるリーク電流成分を低減しトランジスタのピンチオフ特性を向上させる。【解決手段】 GaNバッファー層と、GaNあるいはInGaNとGaNを組み合わせたチャンネル層と、AlGaN層とがサファイア基板あるいはSiC基板上に順次形成されたヘテロ構造のGaNバッファー層中にAlGaN層を設け、設けられたAlGaN層におけるAlN組成比を表面のAlGaN層のAlN組成比よりも小さくする。
請求項（抜粋）：
GaNバッファー層と、第一のAlGaN層と、GaNあるいはInGaNとGaNを組み合わせたチャンネル層と、第二のAlGaN層とが、サファイア基板あるいはSiC基板上に順次形成された構造を有し、かつそれぞれの層の表面がIII族原子のc面となるヘテロ構造を用いた半導体装置であって、該第一のAlGaN層におけるAlN組成比が該第一のAlGaN層におけるAlN組成比よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GQ03
, 5F102HC01
