特許
J-GLOBAL ID:200903040471839156

プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-159517
公開番号(公開出願番号):特開平10-012597
出願日: 1996年06月20日
公開日(公表日): 1998年01月16日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】プラズマ中の電子エネルギ分布を下げ、高選択エッチングに必要なガス分解状況を制御するとともに、処理室内面全面での反応生成物の付着防止、均一プラズマの形成、プラズマ発生圧力の低圧化を実現する。【解決手段】1)選択性に影響するエッチングガスの分解状況を制御する電子にエネルギレベルをプラズマからの電子の損失エネルギ低減により低くした。2)処理室内壁面全面にプラズマ中のイオンがコントロールされたエネルギで入射するようにし、入射するイオンのエネルギで処理室内壁面に付着した反応生成物、内壁面の変質層を除去し、プラズマ処理中に発生する塵埃を防止する。3)イオンと電子の散乱角の差により、凹凸表面に形成されるチャージ分布不均一によるイオンの軌道が影響を受ける課題に対し、電子を加速する周波数の高い高周波を用いた。
請求項(抜粋):
処理室内にプラズマを発生させ試料をエッチングするプラズマエッチング装置において、前記処理室内壁面にプラズマから入射し、消滅する電子を加速する手段を設けたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2件):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2件):
H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A
引用特許:
審査官引用 (8件)
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