特許
J-GLOBAL ID：200903040499101390
表面処理装置及び表面処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-386075
公開番号（公開出願番号）：特開2003-187998
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 ランニングコストの増加を抑えて経済的に不利にならず、また、被処理物に供給されるガス流の温度上昇を抑えて被処理物の熱的損傷を抑え、さらに、短時間で表面処理が行うことができて生産性の低下を抑え、加えて、被処理物の酸化物による汚染を抑え、しかも、アークによる被処理物の損傷を抑えながら表面処理の能力を高めることができる表面処理装置及び表面処理方法を提供する。【解決手段】 絶縁材料で形成される反応容器1の外側に複数の電極2、3を設ける。気体放電Pにより生じる活性種を含むガス流Gを反応容器1から吹き出して被処理物4に供給することによって、被処理物4の表面処理を行う表面処理装置に関する。反応容器1から吹き出すガス流Gの流速を加速しながら被処理物4へのアークを抑制するためのアーク抑制手段を反応容器1に設ける。
請求項（抜粋）：
絶縁材料で形成される反応容器の外側に複数の電極を設け、反応容器内にプラズマ生成用のガスを導入すると共に電極間に交流あるいはパルス状の電界を印加することにより大気圧又はその近傍の圧力下で反応容器の内側に気体放電を発生し、この気体放電により生じる活性種を含むガス流を反応容器から吹き出して被処理物に供給することによって、被処理物の表面処理を行う表面処理装置において、反応容器から吹き出すガス流の流速を加速しながら被処理物へのアークを抑制するためのアーク抑制手段を反応容器に設けて成ることを特徴とする表面処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/24
, B01J 19/08
, H01L 21/304 645
, H01L 21/3065
H05H 1/24
, B01J 19/08 E
, H01L 21/304 645 C
, H01L 21/302 B
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BA05
, 4G075BA06
, 4G075BB10
, 4G075BC06
, 4G075CA17
, 4G075DA02
, 4G075DA18
, 4G075EB43
, 4G075EC21
, 4G075FC15
