特許
J-GLOBAL ID：200903093989161680
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303117
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077097
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 BGA基板などの基板の全面を処理する場合に処理時間を短くすることができ、しかも、被処理物の汚染を少なくすることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】 絶縁材料で形成される反応容器1。反応容器1の外面に接する少なくとも一対の対向する電極2と電極3。反応容器1にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極2と電極3の間に交流電界を印加することにより大気圧下で反応容器1内にグロー状の放電を生じさせる。グロー状の放電により反応容器1内にプラズマを生成するようにしたプラズマ処理装置に関する。反応容器1の内面に沿った電気力線が形成されるように電極2と電極3を配置する。幅を持ったジェット状のプラズマを吹き出すための吹き出し口4を反応容器1に形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁材料で形成される反応容器と、反応容器の外面に接する少なくとも一対の対向する電極とを具備して構成され、反応容器にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極の間に交流電界を印加することにより大気圧下で反応容器内にグロー状の放電を生じさせ、グロー状の放電により反応容器内にプラズマを生成するようにしたプラズマ処理装置において、反応容器の内面に沿った電気力線が形成されるように一対の電極を配置し、幅を持ったジェット状のプラズマを吹き出すための吹き出し口を反応容器に形成して成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/24
, H05H 1/46
, C23C 16/513
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H05H 1/24
, H05H 1/46 A
, C23C 16/513
4K030CA04
, 4K030CA07
, 4K030DA03
, 4K030DA04
, 4K030DA08
, 4K030EA06
, 4K030FA03
, 4K030JA18
, 4K030KA08
, 4K030KA15
, 4K030KA26
, 4K030KA30
, 4K030KA46
, 4K030LA15
, 4K057DA01
, 4K057DB20
, 4K057DD01
, 4K057DD07
, 4K057DE14
, 4K057DE20
, 4K057DM01
, 4K057DM18
, 4K057DM28
, 4K057DN01
, 5F004AA14
, 5F004BA11
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BB28
, 5F004BD01
, 5F004BD07
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB26
, 5F045EE20
, 5F045EH04
, 5F045EJ05
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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