特許
J-GLOBAL ID：200903040504561787

液処理装置および液処理方法

発明者：
戸島 孝之

戸島 孝之 について

, 
折居 武彦

折居 武彦 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-150283
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343759
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 処理液の使用量を抑制しつつも、基板の表裏面を同時に均一に液処理することができる液処理装置および液処理方法を提供する。【解決手段】 液処理装置の一実施形態である洗浄処理ユニット21aは、ウエハWを略水平に保持するスピンチャック23と、スピンチャック23に保持されたウエハWの下方に略水平に設けられたステージ24と、スピンチャック23に保持されたウエハWとステージ24との間隙に所定の洗浄液を供給する洗浄液供給孔41とを具備する。ステージ24の表面は洗浄液の接触角が50度以上となる濡れ性を有するように疎水性ポリマーでコーティングされており、スピンチャック23に保持されたウエハWとステージ24の間隙に洗浄液を層を形成して、ウエハWの液処理を行う。
請求項（抜粋）：
基板に処理液を供給して基板に液処理を施す液処理装置であって、基板を略水平に保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の下方に略水平に設けられ、その表面は前記処理液の接触角が50度以上となるステージと、前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの表面との間隙に前記処理液を供給する処理液供給手段と、を具備し、前記保持手段に保持された基板の裏面と前記ステージの表面との間隙に前記処理液の層が形成されて前記基板が液処理されることを特徴とする液処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 651 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500
FI (4件)：
H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 651 B ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500
Fターム (4件)：
2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088MA16 ,  2H090JC19
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 回転式半導体基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-266985   出願人：ソニー株式会社
  • 特開昭61-098351
  • 洗浄装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-326918   出願人：株式会社荏原製作所
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