特許
J-GLOBAL ID：200903040529254170
フォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-349789
公開番号（公開出願番号）：特開平11-184064
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 微細加工精度を改善できるよう最適化がなされたマスクパターンが得られるフォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体を提供すること。【解決手段】 ステップS1で読み込んだCADパターンデータに対しステップS2でデザインルールチェックを行い、光強度シミュレーションを行うパターン部分を抽出する。そして、ステップS3で抽出したCADパターンデータからラスター形式へデータ変換してステップS4で光強度シミュレーションを行う。その後、ステップS5で光強度シミュレーションの結果得られた数値データから所定の値の等高線パターンを抽出し、ステップS6でこの等高線パターンとステップS1で読み込んだCADパターンデータとを重ね合わせ、デザインルールチェックを行って要補正箇所を抽出し、その要補正箇所をステップS7で補正する。
請求項（抜粋）：
CADシステムにより作成されたフォトマスクパターンのCADパターンデータから、光強度シミュレーションを行うパターン部分のCADパターンデータを抽出するパターンデータ抽出手段と、前記抽出されたCADパターンデータに基づいて光強度シミュレーションを行い、該抽出されたCADパターンデータに基づくパターン部分の、投影露光後のパターン光強度分布を求める光強度シミュレーション手段と、前記抽出されたCADパターンデータに基づくパターンと前記光強度シミュレーションの結果に基づくパターンとを比較検証し、補正を必要とする箇所を抽出するパターン比較チェック手段と、前記抽出された要補正箇所において、前記抽出されたCADパターンデータに基づくパターンと前記光強度シミュレーションの結果に基づくパターンとの差が所定の許容値以下となるように、前記フォトマスクパターンのCADパターンデータを補正するパターン補正手段とを有することを特徴とするフォトマスクパターン設計装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
