特許
J-GLOBAL ID：200903040567401887

光半導体素子およびその製造方法

発明者：
玉貫 岳正

玉貫 岳正 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170474
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357844
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 光半導体アレイ素子において、n側電極が電気的に分離されており活性領域にそれぞれ独立に電流を注入でき、平面型光回路へ実装する際に光学的結合だけでなく電気的結合も容易にできる素子を製造上の歩留まりを高く提供する。【解決手段】 絶縁基板73上の少なくとも一部にn型クラッド層74、活性光導波路層75、p型クラッド層76が順次形成され、複数個の活性光導波路がアレイ配置された光半導体素子において、各活性光導波路間で一部のn型クラッド層を分離する溝77が表面に形成されており、かつ一部のp型クラッド層76が除去されてn型クラッド層74が表面に露出しており、前記p型クラッド層76および前記n型クラッド層74の表面にそれぞれ電極78,79が形成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板上の少なくとも一部に第1導電型クラッド層、活性光導波路層、第2導電型クラッド層が順次形成され、複数個の活性光導波路がアレイ状に配置された光半導体素子において、前記複数個の活性光導波路の間において前記第2導電型クラッド層が互いに分離しており、かつ前記第2導電型クラッド層および活性光導波路層の一部が除去されて前記第1導電型クラッド層の表面が露呈されており、前記第2導電型クラッド層の少なくとも一部の表面および前記露呈された前記第1導電型クラッド層の少なくとも一部の表面にそれぞれ電極が形成されていることを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/40 ,  H01S 5/50 610
FI (2件)：
H01S 5/40 ,  H01S 5/50 610
Fターム (14件)：
5F073AA22 ,  5F073AA53 ,  5F073AA61 ,  5F073AB12 ,  5F073AB15 ,  5F073CA12 ,  5F073CB03 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073FA06 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22
引用特許：
審査官引用 (3件)

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