特許
J-GLOBAL ID:200903040585764598

検査装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-350862
公開番号(公開出願番号):特開2001-165635
出願日: 1999年12月09日
公開日(公表日): 2001年06月22日
要約:
【要約】【課題】 凹凸パターンが表面上に形成されたデバイスの凸部のエッジ位置を、高精度に再現性よく測定する。【解決手段】 線幅測定装置1では、測定対象となる1つのCMOSの回路線の線幅を測定する際に、回路線とCCDイメージセンサのピクセル列とを傾けた状態で撮像する。そして、撮像した画像から、この回路線の幅方向に横断した複数の光学プロファイルを生成する。複数のプロファイルからフィッティング曲線を求め、複数のエッジ位置を特定する。そして、これらの複数のエッジ位置を平均化し、最終的なエッジ位置を求める。
請求項(抜粋):
線状の凸部を有する凹凸パターンが表面上に形成されたデバイスを検査する検査装置において、上記デバイスを支持する支持手段と、2次元配列されたピクセルを有する撮像素子により上記デバイスの表面を撮像する撮像手段と、上記線状の凸部の幅方向を横断する上記撮像素子のピクセル列から得られる画像データに基づき、上記線状の凸部の幅方向に対する上記凹凸パターンの2次元のプロファイル曲線を生成し、上記線状の凸部のエッジ位置を測定する測定手段とを備え、上記撮像手段は、測定対象となる線状の凸部と上記撮像素子のピクセルとの相対位置を、上記線状の凸部の幅方向にピクセル間隔以下で位置ずれさせて、上記デバイスの表面を撮像し、上記測定手段は、幅方向にピクセル間隔以下で位置ずれさせた各位置において測定対象となる上記線状の凸部の幅方向の複数のエッジ位置を測定し、測定した複数のエッジ位置を平均化したエッジ位置を求めることを特徴とする検査装置。
IPC (5件):
G01B 11/24 ,  G01B 11/00 ,  G01B 11/02 ,  G01N 21/956 ,  H01L 21/66
FI (5件):
G01B 11/00 H ,  G01B 11/02 H ,  G01N 21/956 A ,  H01L 21/66 J ,  G01B 11/24 K
Fターム (52件):
2F065AA12 ,  2F065AA22 ,  2F065AA51 ,  2F065BB02 ,  2F065BB05 ,  2F065BB18 ,  2F065CC19 ,  2F065EE00 ,  2F065EE08 ,  2F065FF42 ,  2F065GG04 ,  2F065GG22 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL02 ,  2F065LL04 ,  2F065LL46 ,  2F065LL57 ,  2F065NN01 ,  2F065NN02 ,  2F065NN20 ,  2F065PP05 ,  2F065PP11 ,  2F065PP12 ,  2F065PP13 ,  2F065QQ00 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ17 ,  2F065QQ29 ,  2F065QQ42 ,  2G051AA51 ,  2G051AB20 ,  2G051BA05 ,  2G051BA10 ,  2G051BB17 ,  2G051BB20 ,  2G051BC01 ,  2G051CA03 ,  2G051CA04 ,  2G051DA08 ,  2G051EA30 ,  2G051EC02 ,  2G051EC03 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AB09 ,  4M106BA07 ,  4M106CA39 ,  4M106DB04 ,  4M106DB08 ,  4M106DB18 ,  4M106DB19
引用特許:
審査官引用 (2件)

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