特許
J-GLOBAL ID：200903040599945188
パターン形成方法、パターン処理装置および露光マスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-112204
公開番号（公開出願番号）：特開2002-311561
出願日： 2001年04月11日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：
【要約】【課題】 転写パターン形成の最適化を高精度にかつ簡便に行うことが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】 リソグラフィ処理を行うことで設計パターンの転写パターンを形成するパターン形成方法において、予め設定された条件に基づいて設計パターンにおける線幅測長箇所を抽出し、抽出箇所に測長箇所認識パターンを追加する(ST101)。設計パターンの形状を維持するべき重要度毎に、設計パターンを構成する各パターン部分を分類する(ST102)。設計パターンに基づいて、転写パターン形成のシミュレーションを行う(DT103)。各測長箇所認識パターン位置における転写パターンの線幅を測定する(ST104)。シミュレーションによって得られた転写パターンの各部について、設計パターンを構成する各パターン部分に対応する重要度毎にシミュレーション結果の評価を行う(ST105〜ST111)。
請求項（抜粋）：
リソグラフィ処理を行うことで設計パターンの転写パターンを形成するパターン形成方法において、予め設定された条件に基づいて前記設計パターンにおける線幅測長箇所を抽出し、抽出された各線幅測長箇所に測長箇所認識パターンを追加する第1工程と、前記設計パターンに基づいて、転写パターン形成のシミュレーションを行う第2工程と、前記シミュレーションによって得られた転写パターンにおける前記各測長箇所認識パターン位置の線幅を測定する第3工程と、前記第3工程で測定された前記転写パターンの線幅に基づいてシミュレーション結果の評価を行う第4工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G06F 17/50 666
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 D
, G06F 17/50 666 C
, H01L 21/30 502 P
2H095BB01
, 2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H095BD03
, 2H095BE04
, 5B046AA08
, 5B046BA06
, 5B046JA02
, 5B046JA04
