半導体装置の作成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020457
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222860
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】ビアコンタクト層や配線層に低誘電率膜を用いて有効にデュアルダマシン構造による多層配線層を形成する。【解決手段】基板上に有機膜14、18、有機SOG膜16、20の積層構造を形成した後、CMPストッパ層となるシリコン酸化膜、あるいは、有機SOG膜、エッチングマスクとなるシリコン窒化膜を形成する。次に、レジストマスクでシリコン窒化膜に配線パターンを形成し、レジストをアッシングする。次に、平坦化のためにSOGを塗布し、段差の影響を解消する。さらに、SOG材料に露光波長を吸収する樹脂を混合させておくことで、良好な解像度が得られるようにする。次に、コンタクトホールをパターニングし、シリコン酸化膜、有機膜、シリコン酸化膜を順次エッチングする。次に、シリコン窒化膜をマスクにして、シリコン酸化膜、有機膜をエッチングする。

請求項（抜粋）：

デュアルダマシン構造による多層配線層を形成する作成方法において、ビアコンタクト層となる下層の層間絶縁膜と配線層となる上層の層間絶縁膜とを有する積層膜上にハードマスクを設け、前記ハードマスクに溝パターンを形成した後、その上層に平坦化膜を形成し、その後、コンタクトホール及び配線溝を形成するようにした、ことを特徴とする半導体装置の作成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (6件)：

H01L 21/312 C , H01L 21/316 G , H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , H01L 21/90 A , H01L 21/90 S

Fターム (48件)：

5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033KK00 , 5F033MM02 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033XX24 , 5F058AA06 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AD10 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA09 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BE04 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF39 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-158758 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-067225 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-332118

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