半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007951
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221268
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】同一チップ上に2種類のキャパシタを作製する方法に関し,製造工程数を低減する。【構成】半導体基板 1表面のフィールド絶縁膜 2によって画定される領域上に第1の絶縁膜 3を被着し,その上に1層目導電体膜 4を被着しこれをパターニングして第1のキャパシタの上部電極と第2のキャパシタの下部電極を形成する工程と,次いで,該半導体基板 1上にに第2の絶縁膜 5を被着する工程と,次いで,該半導体基板上に2層目導電体膜 6を被着しこれをパターニングして第2のキャパシタの上部電極を形成する工程と,次いで,該半導体基板とは反対導電型イオンを該第1のキャパシタの上部電極を通して該半導体基板 1内に注入し,第1のキャパシタの下部電極となる拡散層 7を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1) 表面のフィールド絶縁膜(2) によって画定される領域に上に第1の絶縁膜(3)を被着し,その上に1層目導電体膜(4)を被着しこれをパターニングして第1のキャパシタの上部電極と第2のキャパシタの下部電極を形成する工程と,次いで,該半導体基板(1) 上に第2の絶縁膜(5) を被着する工程と,次いで,該半導体基板(1) 上に2層目導電体膜(6) を被着しこれをパターニングして第2のキャパシタの上部電極を形成する工程と,次いで,該半導体基板(1) とは反対導電型イオンを該第1のキャパシタの上部電極を通して該半導体基板(1) 内に注入し,第1のキャパシタの下部電極となる拡散層(7) を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-282863
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-261284 出願人：シチズン時計株式会社
特開平2-040946

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