電極構造およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-167124
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032115
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 p型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体に対して良好なオーミック接触が得られる電極構造とする。【構成】 p型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層61上に、窒化物生成自由エネルギー変化が0kcal/mol以下の金属と水素貯蔵金属とを堆積して電極62を形成すると、金属性窒化物層および金属水素化物層からなる電極が形成される。金属性窒素化物層により窒素原子が半導体層表面に引き寄せられ、半導体層61表面近傍は窒素原子空孔が少ないp型伝導性に適した結晶状態となる。金属水素化物層によりMg原子と結合している水素が引き寄せられ、表面近傍63のMg原子がアクセプタ不純物として活性化される。半導体層/電極界面63ではコンタクト層として十分な高キャリア濃度が得られ、極めて小さいオーミック接触抵抗が実現できる。

請求項（抜粋）：

p型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層を有し、該半導体層上に設けられる電極が金属性窒化物および金属水素化物の混合した層構造、または金属性窒化物層および金属水素化物層を含む層構造となっている電極構造。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化物系半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-211793 出願人：旭化成工業株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-135220 出願人：旭化成工業株式会社
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222627 出願人：旭化成工業株式会社

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