特許
J-GLOBAL ID:200903040696110767
常圧CVDによるチタニアコーティング
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 西山 雅也
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-525418
公開番号(公開出願番号):特表2006-503686
出願日: 2003年07月30日
公開日(公表日): 2006年02月02日
要約:
チタニアもしくはチタニア含有物の薄膜を主たる反応源として常圧グロー放電プラズマを使用してCVDによって堆積させ、通常の場合に非常に高い基板温度でのみ達成可能(常圧CVDによる)であった薄膜特性及び薄膜成長速度を導く方法が記載される。
請求項(抜粋):
チタニアもしくはチタニア含有物を薄膜として基板の上に堆積させる方法であって、下記の工程:
前記基板を250°Cを下回る温度で加熱するとき、主たる反応源として常圧グロー放電プラズマを使用して薄膜の性状及び薄膜成長速度を改良すること、
導入されたガス流中に予備蒸発させた反応性チタニアCVD前駆体を、コーティング領域を流動するガス中に導入すること、
を含んでなる方法。
IPC (9件):
B01J 37/02
, B01J 21/06
, B01J 35/02
, B01J 37/08
, B01J 37/34
, C01G 23/04
, C01G 23/07
, C23C 16/40
, C23C 16/503
FI (9件):
B01J37/02 301P
, B01J21/06 M
, B01J35/02 J
, B01J37/08
, B01J37/34
, C01G23/04 C
, C01G23/07
, C23C16/40
, C23C16/503
Fターム (46件):
4G047CA02
, 4G047CB04
, 4G047CB08
, 4G047CC03
, 4G047CD02
, 4G169AA03
, 4G169AA08
, 4G169BA04A
, 4G169BA04B
, 4G169BA21C
, 4G169BA48A
, 4G169BB08C
, 4G169BD12C
, 4G169BE06C
, 4G169CA10
, 4G169CB35
, 4G169DA06
, 4G169EA08
, 4G169EB15X
, 4G169EC27
, 4G169FA01
, 4G169FA03
, 4G169FB03
, 4G169FB29
, 4G169FB58
, 4G169FC02
, 4G169FC06
, 4G169FC07
, 4G169HA01
, 4G169HA10
, 4G169HB01
, 4G169HC08
, 4G169HC35
, 4G169HD14
, 4G169HE20
, 4G169HF08
, 4K030BA46
, 4K030CA07
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030FA01
, 4K030GA14
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA12
, 4K030KA23
引用特許:
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