特許
J-GLOBAL ID：200903040706415197

CMOSイメージセンサ

発明者：
エリック ゴードン スティーブンス

エリック ゴードン スティーブンス について

, 
ロバート マイケル ギダッシュ

ロバート マイケル ギダッシュ について


出願人/特許権者：
イーストマン コダック カンパニー

イーストマン コダック カンパニー について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-000864
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221578
出願日： 2004年01月06日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】CMOSイメージセンサの転送ゲートの領域で生成された暗電流を低減することでノイズを低減し、ダイナミックレンジを高め、画質を全体的に改良する。【解決手段】CMOSイメージセンサ65は、第1の導電性型を有する基板73と、入射光を捉え、電荷に変換する光検出器69と、前記光検出器69からの電荷を通過させる転送ゲートと、前記転送ゲートの長さ及び幅全体に実質的に沿って延びる、基板内の強化された導電性を有する第1の導電性型の領域75と、を含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
CMOSイメージセンサであって、 (a)第1の導電性型を有する基板と、 (b)入射光を捉え、電荷に変換する光検出器と、 (c)前記光検出器からの電荷を通過させる転送ゲートと、 (d)前記転送ゲートの長さ及び幅全体に実質的に沿って延びる、基板内の強化された導電性を有する第1の導電性型の領域と、 を含む、CMOSイメージセンサ。
IPC (2件)：
H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E
Fターム (18件)：
4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA05 ,  4M118CA09 ,  4M118DD04 ,  4M118FA34 ,  4M118FA35 ,  4M118FA42 ,  4M118FA47 ,  5C024AX01 ,  5C024CX04 ,  5C024CX43 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31
引用特許：
審査官引用 (4件)
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