特許
J-GLOBAL ID:200903040719258171

フッ素化スルホンアミド及びスルホン誘導体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-548024
公開番号(公開出願番号):特表2001-526653
出願日: 1997年09月25日
公開日(公表日): 2001年12月18日
要約:
【要約】静電補助によって基材に塗布されることができる導電率向上剤を含有する組成物。前記組成物は、1つ以上のカチオン重合性モノマー、1つ以上のカチオン開始剤の他、前記モノマーに可溶性であると共にカチオン重合を妨げないアニオン及びカチオン部分を有する1つ以上の不揮発性導電率向上剤であって、前記アニオン部分が非配位親有機性炭素含有アニオンである不揮発性導電率向上剤を含む。前記組成物は更に、1つ以上の解離向上剤、好ましくは共反応性であるオリゴマーまたはポリマー、フリーラジカル硬化性モノマー、フリーラジカル生成開始剤、均染剤、及び重合した組成物に特定の特性を付与する他の添加剤または補助剤を含む。
請求項(抜粋):
a)水素カチオンと、 b)以下の式:[式I中、Xが-SO2R及び-C(O)Rからなる群から選択され、式II中、一方のXが-SO2R及び-C(O)Rからなる群から選択され、他方のXがH、アルキル、アルケニル、アリール、アルカリール、-SO2R、及び-C(O)Rからなる群から選択され、 Rがアルキル、シクロアルキル、アラルキル、置換アルキル、アリール、及び置換アリールからなる群から選択され、及び Rfがフッ素または少なくとも1個の炭素原子を含有する一価のフッ素化ラジカルを含む]の1つを有するアニオンと、を含む化合物。
IPC (6件):
C07C311/48 ,  C07C311/51 ,  C07C317/14 ,  C07D303/34 ,  C09D125/18 ,  C09D163/00
FI (6件):
C07C311/48 ,  C07C311/51 ,  C07C317/14 ,  C07D303/34 ,  C09D125/18 ,  C09D163/00
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献:
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