特許
J-GLOBAL ID：200903040723094620
埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-304728
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222804
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【課題】 改良屈折率ガイドIII-V型半導体レーザを提供する。【解決手段】 本発明の態様は、埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法であって、(a)IIIV結晶基板上に、下部クラッド層、下部クラッド層上の活性層、及び上部クラッド層を含む半導体材料からなる層を含む構造を提供し、該構造が活性層の上に第1面を有し、また該構造が該活性層から約500nm以下に離間されて配置されるステップと、(b)無秩序化されない領域の両側で活性層の下のレベルまで両側に並んだ無秩序領域を該第1面から形成するために、構造の領域を層無秩序化し、該両側に並んだ無秩序領域が無秩序化されない領域の屈折率よりも低い屈折率を有するステップと、を含む埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザ50の製造方法。
請求項（抜粋）：
埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法であって、(a)IIIV結晶基板上に、下部クラッド層、下部クラッド層上の活性層、及び上部クラッド層を含む半導体材料からなる層を含む構造を提供し、該構造が活性層の上に第1面を有し、また該構造が該活性層から約500nm以下に離間されて配置されるステップと、(b)無秩序化されない領域の両側で活性層の下のレベルまで両側に並んだ無秩序領域を該第1面から形成するために、構造の領域を層無秩序化し、該両側に並んだ無秩序領域が無秩序化されない領域の屈折率よりも低い屈折率を有するステップと、を含む埋込ヘテロ構造半導体ダイオードレーザの製造方法。
引用特許：
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