特許

J-GLOBAL ID：200903040731288671

パワー半導体素子の試験装置およびこれを用いた試験方法

発明者： 増馬 慶孝
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-014160
公開番号（公開出願番号）：特開2005-207861
出願日： 2004年01月22日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】垂直式試験装置の試験装置(プローブ針)と半導体チップ(電極パッド)との導通不良や、接触抵抗のバラツキを防止する。【解決手段】パワー半導体素子の表面に形成された電極パッドに複数のプローブ針を垂直に接触させた状態で、該複数のプローブ針に高周波・微小振幅であって前記プローブ針と直交する方向の振動を与える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

パワー半導体素子の表面に形成された電極パッドにプローブ針を垂直に接触させて前記パワー半導体素子の特性を測定するパワー半導体素子の試験装置において、 前記電極パットに並列に接触する複数のプローブ針と、 該複数のプローブ針が前記電極パッドに接触した状態で、該複数のプローブ針に高周波・微小振幅であって前記プローブ針と直交する方向の振動を与える振動印加手段とを備えたことを特徴とするパワー半導体素子の試験装置。

IPC (2件)：

G01R31/26 ,  G01R31/28

FI (3件)：

G01R31/26 J ,  G01R31/26 B ,  G01R31/28 K

Fターム (11件)：

2G003AA01 ,  2G003AA02 ,  2G003AA03 ,  2G003AG04 ,  2G003AG12 ,  2G003AH05 ,  2G132AA00 ,  2G132AF02 ,  2G132AF07 ,  2G132AF08 ,  2G132AL03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体集積回路測定方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-234723   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (1件)

• プローブカード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-210303   出願人：川崎製鉄株式会社