半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110995
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】サージ電流等に対して高い静電耐性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】素子分離絶縁膜3aに囲まれた領域の表面に、3個のN+拡散層4a、4b及び4cが形成されており、N+拡散層4aはNチャネルMOSトランジスタ11aのソース拡散層となり、N+拡散層4cはNチャネルMOSトランジスタ11bのソース拡散層となり、N+拡散層4bはNチャネルMOSトランジスタ11a及び11bのドレイン拡散層となっている。即ち、2個のNチャネルMOSトランジスタ11a及び11bの各ドレイン拡散層は相互間で共有されている。また、N+拡散層4b上には、環状のマスク絶縁膜18が形成されている。N+拡散層4bの表面には、マスク絶縁膜18に覆われた領域を除いてシリサイド膜6bが形成されている。従って、NチャネルMOSトランジスタ11a及び11bのドレインの電位は等しい。

請求項（抜粋）：

一端が外部端子に接続された抵抗素子と、この抵抗素子の他端に接続された第1及び第2の電界効果トランジスタと、を有し、前記第1及び第2の電界効果トランジスタは、夫々、第1及び第2のドレイン拡散層並びに第1及び第2のソース拡散層を有し、前記第1及び第2のドレイン拡散層は前記抵抗素子に直接共通接続されており、前記第1及び第2のドレイン拡散層は相互に同電位にあることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/43 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 27/06 311 C , H01L 27/04 H , H01L 27/08 321 H , H01L 29/46 T , H01L 29/78 301 K , H01L 29/78 301 X

Fターム (51件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD26 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF11 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F038BH02 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F040DA19 , 5F040DA23 , 5F040DA24 , 5F040DB10 , 5F040EC01 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040EF02 , 5F040EH02 , 5F040EH07 , 5F040EK07 , 5F040FC19 , 5F048AA02 , 5F048AA05 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BE02 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG11 , 5F048BH05 , 5F048CC01 , 5F048CC09

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体集積回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-190149 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
静電破壊保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-189120 出願人：ロックウェル・インターナショナル・コーポレイション
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-316517 出願人：セイコーエプソン株式会社

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