半導体素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：深見久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-201092
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026387
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板上に形成された良質の窒化物結晶からなる半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子10は、孔または溝14が形成されているシリコン単結晶11と、孔または溝14に形成されている半導体層12とを備える。孔または溝14は、シリコン単結晶11の主表面11aと異なる斜面11bを有している。斜面11bには、主表面11aに現れる結晶面と異なる結晶面が現れている。半導体層12は、斜面11b上に形成されており、かつ式InxGayAlzN(式中、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化物の結晶からなる。

請求項（抜粋）：

孔および溝よりなる群から選ばれた構造が形成されているシリコン単結晶と、前記構造に形成されている半導体層とを備え、前記構造は、前記シリコン単結晶の主面と異なる斜面を有しており、前記斜面には、前記主表面に現れる結晶面と異なる結晶面が現れており、前記半導体層は、前記斜面上に形成されており、かつ前記半導体層は、式InxGayAlzN(式中、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される窒化物の結晶からなる、半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 31/10 , H01S 5/42

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01S 5/42 , H01L 31/10 A

Fターム (25件)：

5F041CA04 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA88 , 5F041CB22 , 5F041CB27 , 5F041FF01 , 5F049MA01 , 5F049MB07 , 5F049NA19 , 5F049NA20 , 5F049PA04 , 5F049PA14 , 5F049RA02 , 5F049SE04 , 5F049SS03 , 5F073AB02 , 5F073CA17 , 5F073CB04 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (1件)

化合物半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-338124 出願人：京セラ株式会社

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