特許

J-GLOBAL ID：200903040810940082

大口径ウェーハの熱処理方法及び該方法に使用する治具

発明者： 村山 守男
出願人/特許権者： 東横化学株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 仁義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-003847
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208566
出願日： 2001年01月11日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】大口径基板ウェーハが自重で反らないと共に、ウェーハ上に膜厚を均一に成長させることができる成長方法及び該方法に使用する治具を提供する。【解決手段】リング状の一端のウェーハ出し入れ部を内方に向けて凹状に凹ませて治具を形成し、該治具のウェーハ載置面にウェーハを支持する多数の突起を間隔づけて形成したウェーハ支持用治具を、石英ウェーハボート支柱に固定し、直径300mm以上の大口径基板ウェーハ裏面を前記ウェーハ支持用治具表面の突起面で支持するように配置し、反応管内で気相成長させた。

請求項（抜粋）：

リング状の一端のウェーハ出し入れ部を内方に向けて凹状に凹ませて治具を形成し、該治具のウェーハ載置面にウェーハを支持する多数の突起を間隔づけて形成したウェーハ支持用治具を、ウェーハボート支柱に固定し、直径300mm以上の大口径基板ウェーハ裏面を前記ウェーハ支持用治具表面の突起面で支持するように配置し、反応管内で気相成長させることを特徴とする気相成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458

Fターム (11件)：

4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA47 ,  5F045AA06 ,  5F045BB02 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045DP19 ,  5F045EM01 ,  5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ウェハの熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-293758   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• ウェーハ支持板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062258   出願人：住友金属工業株式会社