個体撮像装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-180087
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026736
出願日： 1997年07月04日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】周辺回路部の比較的厚い絶縁膜を形成する際に受ける熱ストレスにより、不要電荷の発生サイトとなる結晶欠陥を誘起して発生する白キズの量を低減した固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決方法】周辺回路部の第1の素子分離部のP+ 型半導体領域105とセル部の光電変換部間と電荷転送部間の第2の素子分離部のP+ 型半導体領域107を同一の工程で形成したのち、周辺回路部にCVD法による比較的厚い酸化膜106を形成する。

請求項（抜粋）：

周辺回路部の比較的厚い絶縁膜を有する第1の素子分離部と、電荷転送部間、あるいは電荷転送部と光電変換部間、あるいは光電変換部間の素子分離部となるセル部の比較的薄い絶縁膜を有する第2の素子分離部とを有する個体撮像装置において、前記比較的厚い絶縁膜が、CVD法によって形成された絶縁膜であることを特徴とする個体撮像装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

電荷結合素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-125659 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-183985 出願人：ソニー株式会社

前のページに戻る