特許
J-GLOBAL ID：200903040820811221

非還元性誘電体磁器組成物

発明者：
西山 俊樹

西山 俊樹 について

, 
浜地 幸生

浜地 幸生 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-054697
公開番号（公開出願番号）：特開平8-337471
出願日： 1996年03月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【目的】 ニッケル等の卑金属を内部電極材料とする積層セラミックコンデンサなどの誘電体材料として用いられる非還元性誘電体磁器組成物を提供する。【構成】 BaTiO3 と、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3 の中から選ばれる少なくとも1種類の希土類酸化物(Re2O3)と、Co2O3 とを所定の配合比で含有する主成分に対し、副成分として、BaOと、MnOと、MgOと、NiO、Al2O3 のうち少なくとも1種類と、およびLi2O-(SiXTi1-X)O2-M(式中、MはAl2O3、ZrO2 のうち少なくとも1種類を示す。)を主成分とする酸化物ガラスとを所定の配合比で含有する。
請求項（抜粋）：
BaTiO<SB>3</SB> と、Tb<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、Dy<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、Ho<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、Er<SB>2</SB>O<SB>3</SB> の中から選ばれる少なくとも1種類の希土類酸化物(Re<SB>2</SB>O<SB>3</SB>)と、Co<SB>2</SB>O<SB>3 </SB>と、を所定の配合比で含有する主成分に対し、副成分として、BaOと、MnOと、MgOと、NiO、Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB> のうち少なくとも1種類と、およびLi<SB>2</SB>O-(Si<SB>X</SB>Ti<SB>1-X</SB>)O<SB>2</SB>-M(式中、MはAl<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、ZrO<SB>2 </SB>のうち少なくとも1種類を示す。また、Xは0<X≦1.00である。)を主成分とする酸化物ガラスと、を所定の配合比で含有することを特徴とする非還元性誘電体磁器組成物。
IPC (3件)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358
FI (3件)：
C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358
引用特許：
審査官引用 (4件)
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