特許
J-GLOBAL ID：200903040834560477
金属パターン形成方法、金属パターン、及びプリント配線板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-114849
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287994
出願日： 2006年04月18日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】エッチング工程を行なうことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ基板との密着性が高く、基板との界面における凹凸が小さく、充分な導電性を有すると共に、金属パターンの存在しない領域における絶縁性が高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供する。【解決手段】(a1)基板上にポリマー層を設ける工程と、(a2)ポリマー層に金属イオン等を付与する工程と、(a3)金属イオン等を還元して導電性層を形成する工程と、(a4)導電性層上にパターン状のレジスト層を形成する工程と、(a5)電気めっきによりレジスト層の非形成領域に金属パターンを形成する工程と、(a6)レジスト層を剥離する工程と、(a7)レジスト層で保護されていた領域の導電性層を除去する工程と、(a8)疎水化処理を行なう工程と、を有することを特徴とする金属パターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(a1)基板上に、金属イオン又は金属塩と相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するポリマーからなるポリマー層を設ける工程と、
(a2)前記ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、
(a3)前記金属イオン又は金属塩を還元して、表面抵抗率が10〜100kΩ/□の導電性層を形成する工程と、
(a4)前記表面抵抗率が10〜100kΩ/□の導電性層上にパターン状のレジスト層を形成する工程と、
(a5)電気めっきにより、前記レジスト層の非形成領域に金属パターンを形成する工程と、
(a6)前記レジスト層を剥離する工程と
(a7)前記(a3)工程で形成した導電性層のうち、前記レジスト層で保護されていた領域の導電性層を除去する工程と、
(a8)前記(a7)工程で導電性層を除去した領域に存在する前記(a1)工程で設けられたポリマー層に対して疎水化処理を行なう工程と、
を有することを特徴とする金属パターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H05K3/18 G
, G03F7/40 521
, H05K3/18 A
2H096AA26
, 2H096CA05
, 2H096HA27
, 2H096JA04
, 2H096LA02
, 5E343AA12
, 5E343AA18
, 5E343AA22
, 5E343AA38
, 5E343BB23
, 5E343BB24
, 5E343BB25
, 5E343BB34
, 5E343BB38
, 5E343BB44
, 5E343BB48
, 5E343CC22
, 5E343CC62
, 5E343CC71
, 5E343DD33
, 5E343DD43
, 5E343EE22
, 5E343EE34
, 5E343ER02
, 5E343ER12
, 5E343ER16
, 5E343ER18
, 5E343GG02
, 5E343GG14
