特許
J-GLOBAL ID：200903040888022071

オフセット閾値電圧を有する有機電界効果トランジスタおよびその使用

発明者：
アンドレアス ウルマン

アンドレアス ウルマン について

, 
ヴァルター フィックス

ヴァルター フィックス について


出願人/特許権者：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-555592
公開番号（公開出願番号）：特表2005-513802
出願日： 2002年12月09日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
本発明はオフセット閾値電圧を有する有機電界効果トランジスタに関する。有機電界効果トランジスタOFETは絶縁層と半導体層とのあいだの空間電荷領域を形成する中間層を有する。
請求項（抜粋）：
活性の半導体層に接してこの活性の半導体層内に空間電荷領域を形成する中間層が設けられており、 該中間層により有機電界効果トランジスタの閾値電圧がオフセットされる ことを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (3件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B
Fターム (9件)：
5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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