特許

J-GLOBAL ID：200903040940241984

誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ

発明者： 神垣 耕世 ,  永仮 尚謙 ,  南部 信次
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320494
公開番号（公開出願番号）：特開平9-208309
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：

【要約】【課題】低周波領域および高周波領域において高い比誘電率を有し、かつDCバイアスに対する依存性も小さく、かつ静電容量の温度変化率も小さな誘電体薄膜およびセラミックコンデンサを提供する。【解決手段】組成式をBaTi<SB>1-x </SB>(Zr<SB>x </SB>)<SB>p </SB>O<SB>3 </SB>と表した時のxおよびpが、0.02≦x≦0.25、0.80≦p<1.00を満足する誘電体薄膜である。ペロブスカイト型複合酸化物の平均結晶粒径が、0.11μm〜0.20μmであることが望ましい。また、本発明のセラミックコンデンサは、その誘電体薄膜が、BaTi<SB>1-x </SB>Zr<SB>x </SB>O<SB>3 </SB>と表した時のxおよびペロブスカイト結晶の平均結晶粒径d(μm)が、図1に示す範囲内にあり、測定周波数100MHz(室温)における比誘電率が950以上のものである。

請求項（抜粋）：

金属元素としてBa、TiおよびZrを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、その組成式をBaTi<SB>1-x </SB>(Zr<SB>x </SB>)<SB>p </SB>O<SB>3</SB>と表した時のxおよびpが、0.02≦x≦0.250.80≦p<1.00を満足することを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (5件)：

C04B 35/48 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 397

FI (5件)：

C04B 35/48 D ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/06 102

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 誘電体薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-305625   出願人：京セラ株式会社
• 誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-012559   出願人：京セラ株式会社
• 特開昭54-026500