半導体基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329365
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193072
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】SIMOX基板のイントリンシックゲッタリング効果を高める。【構成】シリコンウェーハ1に酸素を高濃度に注入し、1300°C,6Hの熱処理を酸素を3%含む窒素雰囲気中で行い、SiO2 層10を形成する。次いで多段階熱処理を行う。500°Cから出発し熱処理温度を100°Cきざみで800°Cまで上げる。するとウェーハ中に5×105 個cm-2の内部欠陥が形成され、十分なイントリンシックゲッタリング効果を得ることができる。なお多段階熱処理でなく0.5°C/minの勾配で連続的に温度を上昇させても良い。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板に酸素イオンを高エネルギで加速して注入したのち、該基板を水素雰囲気または酸素を少量含む窒素雰囲気中で、1200〜1300°Cの温度で6〜12時間の熱処理を施したのち、低温から高温へ段階的または連続的に温度を上昇させて熱処理を施すことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 , H01L 21/76 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (5件)

SIMOX基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-238513 出願人：日本電気株式会社
SOI基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-331426 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱電機株式会社
特開昭57-021825

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