特許
J-GLOBAL ID：200903040973283623
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
作田 康夫
, 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-069985
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260014
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】相変化抵抗を使ったメモリセルのビット単価がハードディスク装置と比べて高いという問題があった。【解決手段】縦型トランジスタ(SV0,SV1)と、その上方に与えられる温度によりその抵抗値が変化する記憶素子(PCM0,PCM1)で構成されるメモリセルを有するメモリブロックを、積層させ、高集積な不揮発メモリを実現する。【効果】発明によれば、高集積の不揮発メモリを実現でき、ハードディスク装置と同程度のビット単価を実現できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のメモリブロックを具備し、
前記複数のメモリブロックは、複数のワード線と、前記複数のワード線と交差する複数のビット線と、前記複数のワード線と前記複数のビット線の交点に配置される複数のメモリセルとを有し、
前記複数のメモリセルの各々は、チャネル部が該メモリセルの深さ方向に形成された縦型トランジスタと、その上下どちらか一方に与えられる温度によりその抵抗値が変化する記憶素子を含み、
前記複数のメモリブロックは、積層されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA10
, 5F083JA33
, 5F083LA03
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083LA21
, 5F083NA01
, 5F083ZA28
