特許

J-GLOBAL ID：200903040985694661

半導体ウエーハの製造方法および金属モニタリング装置

発明者： 丸山 文明 ,  丸山 隆之 ,  松岡 隆
出願人/特許権者： 三益半導体工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-068360
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270568
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエーハ表面をエッチングや洗浄する場合に、製造されるウエーハ表面の金属濃度を直接分析することなく、間接的に即時に分析値を得て、それを所定値以下に管理することにより効率的で確実な金属汚染の無い半導体ウエーハの製造方法とこれをモニタリングする装置を提供する。【解決手段】 半導体ウエーハの製造工程において、ウエーハに直接接触する液体中の金属濃度を所定値以下に管理することによって、製造されるウエーハ表面の金属濃度を管理することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法およびこれに用いる金属モニタリング装置。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハの製造工程において、ウエーハに直接接触する液体中の金属濃度を所定値以下に管理することによって、製造されるウエーハ表面の金属濃度を管理することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 648 ,  H01L 21/308

FI (2件)：

H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/308 G

Fターム (7件)：

5F043BB27 ,  5F043DD30 ,  5F043EE23 ,  5F043EE24 ,  5F043EE28 ,  5F043EE40 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薬液処理装置および薬液処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-167525   出願人：日本電気株式会社
• 洗浄液中のキレート剤の濃度管理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-264167   出願人：三菱化学株式会社
• 洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-215158   出願人：株式会社日立製作所