特許
J-GLOBAL ID：200903040988021900

ランガサイト型単結晶の作製方法

発明者：
稲場 均

稲場 均 について

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宇田 聡

宇田 聡 について

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干川 圭吾

干川 圭吾 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-298166
公開番号（公開出願番号）：特開2003-104797
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：
【要約】【課題】2次相の形成を防止し、均一なランガサイト型単結晶を効率的に作製できるランガサイト型単結晶の作製方法を提供する。【解決手段】 ランガサイト型単結晶の作製方法が、種結晶Sをランガサイト型単結晶育成用るつぼ1の下部に充填し、かつ種結晶Sの上に原料Gを充填して、種結晶Sと原料Gとを垂直方向に温度勾配を有する垂直な炉内で溶融させた後、ランガサイト型単結晶育成用るつぼ1を垂直に移動させてランガサイト型単結晶を作製するランガサイト型単結晶の作製方法であって、単結晶育成用るつぼ1および種結晶Sは、底部に向かって小径となるテーパを有し、かつ種結晶Sのテーパ角はランガサイト型単結晶育成用るつぼ1のテーパ角より大きいことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
種結晶をランガサイト型単結晶育成用るつぼの下部に充填し、かつ前記種結晶の上に原料を充填して、前記種結晶と前記原料とを垂直方向に温度勾配を有する垂直な炉内で溶融させた後、前記ランガサイト型単結晶育成用るつぼを垂直に移動させてランガサイト型単結晶を作製するランガサイト型単結晶の作製方法であって、前記ランガサイト型単結晶育成用るつぼおよび前記種結晶は、底部に向かって小径となるテーパ状の形状を有し、かつ種結晶のテーパ角はランガサイト型単結晶育成用るつぼのテーパ角より大きいことを特徴とするランガサイト型単結晶の作製方法。
IPC (4件)：
C30B 29/34 ,  C01G 15/00 ,  C30B 11/00 ,  C30B 11/14
FI (4件)：
C30B 29/34 Z ,  C01G 15/00 H ,  C30B 11/00 C ,  C30B 11/14
Fターム (7件)：
4G077AA02 ,  4G077BD15 ,  4G077CD02 ,  4G077ED01 ,  4G077EG01 ,  4G077MA01 ,  4G077MB04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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