特許
J-GLOBAL ID：200903040988918161

電子部材とその製造方法

発明者：
ボビー・エル・ピッツ・ジュニア

ボビー・エル・ピッツ・ジュニア について


出願人/特許権者：
モトローラ・インコーポレイテッド

モトローラ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-248414
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085674
出願日： 2000年08月18日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 高電圧マイクロ波電界効果トランジスタ(FET)とその製造方法が提供される。【解決手段】 FET10は、圧縮ひずみをかけられた GaInPによって形成されるチャネル層18を含む。引張ひずみをかけられた(AlGa)InPによって形成されるキャリア閉込め層16,20が、チャネル層18の上部20と下部16の両方に形成されて、チャネル層18にキャリアを閉じ込め、高い降伏電圧を与える。
請求項（抜粋）：
電子部材(10)であって:基板(12);前記基板に載置されるIII-V材料の第1チャネル閉込め層;前記第1チャネル閉込め層に載置されるIII-V材料の第2チャネル層(18);前記第2チャネル層に載置されるIII-V材料の第3ひずみ補償層(20);前記第3ひずみ補償層と電気的に結合されるソース電極およびドレイン電極(26,28);および前記第3ひずみ補償層に載置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されるゲート電極(34);によって構成されることを特徴とする部材。
IPC (4件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/205
FI (2件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 29/205
引用特許：
審査官引用 (4件)
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