特許

J-GLOBAL ID：200903041000274333

フォトレジスト剥離剤組成物及び剥離方法

発明者： 長谷見 隆司 ,  岩田 恵一 ,  羽田 真由美 ,  池田 英俊
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-205876
公開番号（公開出願番号）：特開平9-054442
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路の製造工程において低温でかつ短時間に容易にフォトレジストを剥離でき、配線材料を腐食せず、水のみでリンスできるフォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法を提供する。【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を10〜70重量%、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体類を1〜40重量%、糖類または糖アルコール類を1〜20重量%、界面活性剤0〜10重量%を含み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤組成物及び該組成物を用いるフォトレジスト剥離方法。

請求項（抜粋）：

一般式、R1 R2 -NCm H2mOR3 (R1 及びR2 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはヒドロキシエチル基、R3 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシエチル基、メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は2〜4の整数)で表されるアルカノールアミン類、アルコキシアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を10〜70重量%、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体類を1〜40重量%、糖類または糖アルコール類を1〜20重量%を含み、残部が水であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-193940   出願人：イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレイテッド
• レジスト用剥離液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220410   出願人：関東化学株式会社
• ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-105186   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社