半導体装置およびそれを用いた増幅回路

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249185
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104289
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】バリア層を介する伝導を伴う半導体装置の抵抗を低減する。また、その半導体装置を用いた電界効果トランジスタやHBT等素子の寄生抵抗を低減し、これら素子を用いた高性能低雑音アンプ、ミキサ等を提供する。【構成】バリア層を挟む2つの半導体層の少なくとも1つにおいて、そのキャリア濃度あるいは有効質量が均一でなく、バリア層に近い領域においてキャリア濃度が大きいか有効質量が小さいような分布を持つ。

請求項（抜粋）：

第1の半導体層と第2の半導体層の間に第3の半導体層が介在した構造体を有し、上記第1の半導体層と上記第2の半導体層の間を流れるキャリアのみるポテンシャルは、上記第1の半導体層および上記第2の半導体層に比べて上記第3の半導体層の方が大きく、上記第1の半導体層と上記第2の半導体層の間のキャリアのトンネリングを伴う半導体装置において、上記第1の半導体層および上記第2の半導体層の少なくとも一方の厚さ方向のキャリア密度分布は、上記第3の半導体層近傍で大きく、それから減少する領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/205 , H01L 29/68 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-191535
特開昭62-183176
特開昭59-218778

全件表示

前のページに戻る