特許
J-GLOBAL ID：200903041027838450
蓄積容量部の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116359
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307085
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 従来よりも壊れにくくしかつ短い製造プロセスで実現する。【解決手段】 半導体基板上に絶縁膜と配線層とからなる多層構造を形成する工程と、この多層構造上に第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜から多層構造を介して半導体基板に達する深さの第1の穴を形成する工程と、この第1の穴の周辺の第1の絶縁膜に、多層構造に達する深さを有しかつ第1の穴よりも大きな径を有する第2の穴を形成する工程と、第1の穴の中を埋め込むとともに第2の穴の内面および第1の絶縁膜を覆う導電膜を形成する工程と、導電膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜が露出するまで第2の絶縁膜の一部および導電膜の一部を除去することにより導電膜からなる下部電極を形成する工程と、下部電極の形成後に残った第1および第2の絶縁膜を除去する工程と、容量絶縁膜と上部電極とを形成する工程とを有す。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜と配線層とからなる多層構造を形成する工程と、この多層構造上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜から前記多層構造を介して前記半導体基板に達する深さの第1の穴を形成する工程と、この第1の穴の周辺の前記第1の絶縁膜に、前記多層構造に達する深さを有しかつ前記第1の穴よりも大きな径を有する第2の穴を形成する工程と、前記第1の穴の中を埋め込むとともに前記第2の穴の内面および前記第1の絶縁膜を覆う導電膜を形成する工程と、前記導電膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜が露出するまで前記第2の絶縁膜の一部および前記導電膜の一部を除去することにより前記導電膜からなる下部電極を形成する工程と、前記下部電極の形成後に残った前記第1および第2の絶縁膜を除去する工程と、前記絶縁膜の除去によって露出した前記下部電極の表面に容量絶縁膜を形成する工程と、前記容量絶縁膜上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする蓄積容量部の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 651
5F083AD24
, 5F083AD48
, 5F083AD49
, 5F083FR02
, 5F083GA28
, 5F083JA06
, 5F083JA14
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083PR40
