特許
J-GLOBAL ID：200903041038015854

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
高橋 俊明

高橋 俊明 について

, 
渡辺 淳

渡辺 淳 について

, 
大澤 洋一

大澤 洋一 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-213021
公開番号（公開出願番号）：特開2002-023354
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：
【要約】【解決手段】 ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有してなるレジスト材料において、酸発生剤が下記一般式(1)及び/又は(2)で示される化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1、R2は同一又は異種のフッ素原子又は炭素数1〜10のフッ素化されたアルキル基であり、0≦a≦5、0≦b≦5の整数であり、1≦a+b≦10の範囲の整数である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、ArFエキシマレーザー光に感応し、感度、解像性に優れ、また厚膜化が可能なためエッチングにも有利であるために、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。
請求項（抜粋）：
ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有してなるレジスト材料において、酸発生剤が下記一般式(1)及び/又は(2)で示される化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1、R2は同一又は異種のフッ素原子又は炭素数1〜10のフッ素化されたアルキル基であり、0≦a≦5、0≦b≦5の整数であり、1≦a+b≦10の範囲の整数である。)
IPC (13件)：
G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 501 ,  C08F 20/06 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L101/00 ,  C09K 3/00 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C07C381/14
FI (13件)：
G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 501 ,  C08F 20/06 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L101/00 ,  C09K 3/00 K ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  C07C381/14 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (57件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC03 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BF11 ,  2H025BG00 ,  2H025CB43 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4H006AA03 ,  4H006AB80 ,  4H006AB81 ,  4H006TA02 ,  4H006TB04 ,  4H006TB74 ,  4H006TC11 ,  4H006TC31 ,  4J002BG011 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002CE001 ,  4J002EV216 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4J100AK32P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AR11Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA16Q ,  4J100BA16R ,  4J100BA20Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC07Q ,  4J100BC07S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC55Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (3件)

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