特許
J-GLOBAL ID：200903041063284541

半導体発光素子及びそれを用いた半導体発光装置

発明者：
美和 登志幸

美和 登志幸 について

, 
大重 美明

大重 美明 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-382761
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185036
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 レンズを通過させたときに、光ビーム径内で充分に一様な光出力分布を有する出力光が得られるとともに、その製造効率が向上される半導体発光素子及びそれを用いた半導体発光装置を提供する。【解決手段】 p型半導体層11及びn型半導体層12が積層された半導体基体10、第1電極21、及び第2電極22を有する発光ダイオード1と、発光ダイオード1が格納されるパッケージ5と、レンズ部材6とを備える半導体発光装置において、半導体基体10を、pn接合の深さに対するメサ深さの比d2/d1が2以上4以下の条件、あるいは、第1主面13からのメサ深さd2が25μm以上45μm以下またはpn接合からのメサ深さd2-d1が13μm以上33μm以下の条件を満たす傾斜面15を有するメサ型形状とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型を有する第1半導体層、及び第2導電型を有する第2半導体層が積層され、前記第1半導体層及び前記第2半導体層の接合面によってpn接合が形成されている半導体基体と、前記半導体基体の前記第1半導体層側の面で、前記半導体基体内からの光が出射される第1主面上に形成された第1電極と、前記半導体基体の前記第2半導体層側の面で、前記第1主面とは反対側の第2主面上に形成された第2電極と、を備え、前記半導体基体は、前記第1主面の外縁部に前記第1主面から側面にわたる傾斜面が形成されたメサ型形状を有するとともに、前記第1半導体層の層厚に対する前記傾斜面のメサ深さの比が、2以上4以下であることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 M
Fターム (10件)：
5F041AA06 ,  5F041AA37 ,  5F041AA42 ,  5F041CA02 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA93 ,  5F041CB11 ,  5F041EE16 ,  5F041FF16
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357530   出願人：サンケン電気株式会社
  • 発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-298355   出願人：大同特殊鋼株式会社
  • 光半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-263795   出願人：オムロン株式会社

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