特許

J-GLOBAL ID：200903041069552530

半導体装置の製造方法

発明者： 占部 耕児
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010389
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209077
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 Si基板上のコンタクト孔底部のTiカバレッジを向上させ、高アスペクト比の接続孔においても安定なバリア金属電極の形成が可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1上に堆積された絶縁膜2に接続孔3を開孔し、基板温度550°C以上でプラズマCVD法により接続孔底部にTiシリサイド膜4を形成し、絶縁膜2上にはTi膜5を形成する。次に絶縁膜上Ti膜を基板温度600°CでNH3流により窒化してTiN膜6を形成した後、TiCl4,NH3とN2の混合ガスを原料としてCVD法により前記TiN膜6上にTiN膜7を形成する。本発明では絶縁膜2上のTi堆積速度よりもSi基板上のTi堆積速度が増大するために、Si基板上に形成された接続孔底部で十分な膜厚が得られるので、接続電極の電気特性が極めて安定化する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上の所定の位置に該シリコン基板に達するコンタクトホールを形成する工程と、基板温度を550°C以上とし、プラズマ化学気相成長法によりハロゲン化チタン、H2およびキャリアガスを用いて該コンタクトホールにTiを堆積する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高融点金属シリサイド膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-088039   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置におけるメタルプラグの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087459   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の配線接続構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-158196   出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社