特許

J-GLOBAL ID：200903041081917560

液晶表示装置の製造方法

発明者： 石宇 武彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230152
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074948
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 多結晶シリコン薄膜トランジスタ形成工程における絶縁ガラス基板の収縮を抑制し、それによって高品位の画像表示を実現する液晶表示装置の製造を可能とする方法を提供すること。【解決手段】 絶縁ガラス基板上に、多結晶シリコンを活性層として用いたスイッチング用の薄膜トランジスタを形成する工程を具備する液晶表示装置の製造方法であって、該製造方法は、500°C以上の熱処理工程、および熱処理後に-6°C/分〜-10°C/分の冷却速度の冷却工程を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁ガラス基板上に、多結晶シリコンを活性層として用いたスイッチング用の薄膜トランジスタを形成する工程を具備する液晶表示装置の製造方法であって、該製造方法は、500°C以上の熱処理工程、および熱処理後に-6°C/分〜-10°C/分の冷却速度の冷却工程を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 627 F ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-293484   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-197514   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所