特許
J-GLOBAL ID：200903041102969557
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-172083
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351972
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 配線間に空気層を形成することにより配線間の寄生容量を低減した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁膜1上に下層配線3a,3c及びダミー配線3bを形成し、ダミー配線及び第下層配線の上に層間絶縁膜5を形成し、この層間絶縁膜上に上層配線7a,7bを形成し、上層配線をマスクとして層間絶縁膜5をエッチングすることにより上層配線の下のみに層間絶縁膜5を残し、上層配線の上にパッシベーション膜9を形成すると共に、このパッシベーション膜の下且つ上層配線の下に空気層6を形成するものである。ダミー配線3bと下層配線3aの間隔及びダミー配線3bと下層配線3cの間隔それぞれを0.5μm以下とし、下層配線の底部から上層配線の上部までの高さと上層配線の相互の間隔の比が2以上とする。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上に形成された第1の下層配線と、絶縁膜上に形成され、第1の下層配線と対向して配置された第2の下層配線と、絶縁膜上に形成され、第1の下層配線と第2の下層配線との間に配置されたダミー配線と、第1の下層配線上に層間絶縁膜を介して形成された第1の上層配線と、第2の下層配線上に層間絶縁膜を介して形成された第2の上層配線と、第1及び第2の上層配線の上に形成されたパッシベーション膜と、このパッシベーション膜下に形成され、第1及び第2の上層配線の下に形成された空気層と、を具備し、ダミー配線と第1の下層配線の間隔は0.5μm以下であり、ダミー配線と第2の下層配線の間隔は0.5μm以下であり、第1及び第2の上層配線は、第1の下層配線の底部から第1の上層配線の上部までの高さと第1の上層配線と第2の上層配線の間隔の比が2以上となるように配置されていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (12件)：
5F033HH09
, 5F033KK09
, 5F033QQ09
, 5F033QQ27
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR30
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033VV01
, 5F033WW01
, 5F033XX24
