特許

J-GLOBAL ID：200903041157435950

ホットプレート

発明者： 玉川 孝一 ,  近藤 智保 ,  小平 周司 ,  中島 孝一
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-103222
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297806
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】基板を均一な温度に昇温させられるホットプレートを提供する。【解決手段】ホットプレート11の装置本体20内に設けるヒータ22を、吸着面28の外周部分の温度と、それよりも内側の部分の温度とを別個に設定できるように構成する。例えば、ヒータ22を分割し、外周部分をリング状の第1のヒータパターン221によって構成し、その内部を第2のヒータパターン222によって構成する。吸着面28上に基板15を静電吸着して加熱する場合、基板15の周辺部分の温度は他の部分よりも低下しやすいが、第1のヒータパターン221の発熱量を大きくしておくと、基板15は均一に昇温する。

請求項（抜粋）：

静電吸着パターンと、ヒータとが設けられた装置本体を有し、処理対象物の基板を前記装置本体の吸着面上に配置し、前記静電吸着パターンに電圧を印加すると、前記基板が前記静電吸着パターンに吸着され、前記吸着面に密着されるように構成されたホットプレートであって、前記ヒータは、前記吸着面の外周部分の温度と、前記外周部分よりも内側の部分の温度とを別個に設定できるように構成されたことを特徴とするホットプレート。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/68 R ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ホットプレート、及び真空加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-345930   出願人：日本真空技術株式会社
• 特開平2-027715
  
• 半導体ウエハー保持装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-017651   出願人：日本碍子株式会社