特許
J-GLOBAL ID：200903041183313685
薄膜デバイス及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035894
公開番号（公開出願番号）：特開平11-227199
出願日： 1998年02月18日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：
【要約】【課題】 圧電体層の圧電特性の低下を防止した薄膜デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板の一方面に下電極層60、圧電体層70及び上電極層80を順次積層してなる多層膜構造を有する薄膜デバイスにおいて、前記上電極層80は、パターニングの際に接地するために用いた接地用パターン及び当該接地用パターンの痕跡の少なくとも一方を有するため、上電極層80に電荷がたまることが無い。
請求項（抜粋）：
基板の一方面に下電極層、圧電体層及び上電極層を順次積層してなる多層膜構造を有する薄膜デバイスにおいて、前記上電極層は、パターニングの際に接地するために用いた接地用パターン及び当該接地用パターンの痕跡の少なくとも一方を有することを特徴とする薄膜デバイス。
IPC (4件)：
B41J 2/045
, B41J 2/055
, B41J 2/16
, H01L 41/09
B41J 3/04 103 A
, B41J 3/04 103 H
, H01L 41/08 C
