特許
J-GLOBAL ID：200903041205538392
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-284933
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135570
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【目的】 放熱性が良く、さらに生産性に優れた窒化物半導体レーザ素子を提供することにあり、具体的には発光チップの基板を薄くして、発光チップの放熱性を向上させて、素子寿命を向上させる。【構成】 絶縁性基板上に、互いに異なる導電型を有する窒化物半導体層が積層されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記絶縁性基板の厚さが80μm以下に調整されてなり、特にスピネル基板にすると薄く研磨できて放熱性が高まる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に、互いに異なる導電型を有する窒化物半導体層が積層されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記絶縁性基板の厚さが80μm以下に調整されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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