特許
J-GLOBAL ID：200903041219985065
パターンの転写方法とそのフォトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-347547
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151881
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 近接場光リソグラフィー転写に用いるマスク基板が薄くなっても正確にパターンを転写できる転写方法を提供する。【解決手段】 感光性のフォトレジスト層を基板上に積層してなる記録材料に、所定パターンの遮蔽膜を有するマスク基板を該遮蔽膜側を対向させて重ね、この状態でマスク基板に近接場光を照射してマスク基板の遮蔽膜間に位置するフォトレジスト層を感光させ、フォトレジスト層を現像することにより所定のパターンを記録材料基板上のフォトレジスト層に形成するパターンの転写方法において、マスク基板の前記露光光入射側および/または遮蔽膜側に反射防止膜を設けて露光するようにした。
請求項（抜粋）：
光照射による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性のフォトレジスト層を基板上に積層してなる記録材料に、所定パターンの遮蔽膜を有するマスク基板を該遮蔽膜側を対向させるように重ね、この状態で該マスク基板に近接場光を照射してマスク基板の遮蔽膜間に位置するフォトレジスト層を感光させ、その後、該フォトレジスト層を現像することにより前記所定のパターンを前記記録材料基板上の前記フォトレジスト層に形成するパターンの転写方法において、前記マスク基板の露光光入射側のマスク面に反射防止膜を設けて露光することを特徴とするパターンの転写方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 1/14
, G03F 1/16
, G03F 7/20 521
G03F 1/14 F
, G03F 1/16 Z
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 D
, H01L 21/30 502 P
2H095BA03
, 2H095BB14
, 2H095BC04
, 2H095BC13
, 5F046AA25
, 5F046BA01
, 5F046BA10
, 5F046CB17
