特許
J-GLOBAL ID：200903041259434126

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

発明者：
西山 義弘

西山 義弘 について

, 
早川 康男

早川 康男 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-111702
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297411
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 従来では、ギャップ層としてSiO2膜が使用されていたが、記録媒体との対向面をラップ加工した場合、前記SiO2膜の弾性率が小さいために、前記ラップ加工が終了すると、前記対向面から前記ギャップ層が突き出すといった問題があり、これによって薄膜磁気ヘッドスライダが記録媒体に衝突する危険性が増す。【解決手段】 ギャップ層18を、SiON膜で形成する。これによって前記ギャップ層18のヤング率Eを、123.2(GPa)よりも大きくでき、この値は従来のSiO2膜のヤング率Eに比べて大きい。よって、記録媒体との対向面をラップ加工している最中、前記ギャップ層18が前記対向面からハイト方向に押し込まれ難く、前記ギャップ層18の前記対向面からの突き出し量を従来よりも小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
磁性材料性のコアとコアとの対向面に絶縁性のギャップ層が設けられ、前記コアに記録磁界を誘導するコイルが設けられた記録用の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ層が、SiON膜によって形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
IPC (2件)：
G11B 5/31 ,  G11B 5/39
FI (3件)：
G11B 5/31 E ,  G11B 5/31 K ,  G11B 5/39
Fターム (8件)：
5D033BA21 ,  5D033BB43 ,  5D033CA05 ,  5D033DA03 ,  5D034BA02 ,  5D034BA15 ,  5D034BB12 ,  5D034DA07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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