特許
J-GLOBAL ID：200903041264303633
表面スピントロニクスデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平山 一幸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004009226
公開番号（公開出願番号）：WO2004-114415
出願日： 2004年06月23日
公開日（公表日）： 2004年12月29日
要約：
新規の動作原理に基づいたスピン伝導素子、スピンスイッチング素子及びスピンメモリー素子のスピントロニクスデバイスで、固体結晶(12)の表面上に積層した磁性原子薄膜(13)と、磁性原子薄膜上の2箇所に設けたドレイン電極(14)とソース電極(15)とからなり、固体結晶(12)の表面と磁性原子薄膜(13)とで形成される系のスピン分裂した表面電子状態バンドを用いることにより、スピン偏極電流が得られる。あらかじめソース電極(15)から特定の方向のスピンの電子を注入し、磁性原子薄膜(13)の磁化方向を制御することにより、注入された電子の伝導をon/offできる。磁性原子薄膜(13)の磁化保持機能を利用して、磁性原子薄膜(13)の磁化方向制御を情報書き込み操作、ソース電極(15)とドレイン電極(14)間の導通/遮断状態の検出を読み出し操作とするスピンメモリー素子が実現できる。
請求項（抜粋）：
固体結晶表面と、この固体結晶表面上に積層した磁性原子薄膜と、この磁性原子薄膜上の2箇所に設けた電極とからなり、
上記固体結晶表面と磁性原子薄膜とからなる系に形成されるスピン分裂した表面電子状態バンドを利用し、スピン流を流すことを特徴とする、表面スピントロニクスデバイス・スピン伝導素子。
IPC (4件)：
H01L 29/82
, H01L 27/105
, H01L 21/824
, H01L 29/66
H01L29/82 Z
, H01L27/10 447
, H01L29/66 M
5F083FZ10
, 5F083GA30
, 5F083HA08
, 5F083JA60
