特許
J-GLOBAL ID：200903041285129633

不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者：
原 英樹

原 英樹 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080132
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258401
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】不揮発性半導体記憶装置において、トランジスタの特性(構成)と、メモリセルトランジスタの特性(構成)とを独立に設定する。【解決手段】周辺トランジスタ1とメモリセルトランジスタ2とを具備する不揮発性半導体記憶装置を用いる。トランジスタ1は、第1チャネル領域上に形成された第1ゲート電極34を備える。メモリセルトランジスタ2は、第2チャネル領域上に形成された第2ゲート電極30と、第2ゲート電極30の側面に絶縁層31を介して形成された第3ゲート電極32とを備える。第2ゲート電極30の膜厚t20は、第1ゲート電極34の膜厚t10及び第3ゲート電極32の膜厚t30より厚い。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1チャネル領域上に形成された第1ゲート電極を備えるトランジスタと、 第2チャネル領域上に形成された第2ゲート電極と、前記第2ゲート電極の側面に絶縁層を介して形成された第3ゲート電極とを備えるメモリセルトランジスタと を具備し、 前記第2ゲート電極の膜厚は、前記第1ゲート電極及び前記第3ゲート電極の膜厚より厚い 不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10
FI (3件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 481
Fターム (37件)：
5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP35 ,  5F083EP49 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083ER02 ,  5F083ER30 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR09 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BD35 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05 ,  5F101BH21
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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