半導体装置の入出力保護回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-300542
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118995
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】ソース、ドレイン接合の破壊やリーク、電荷の引きぬきを改善する。【解決手段】フィールド酸化膜24を挾んで1.0μm以上の深さのソース26とドレイン28が形成されており、フィールド酸化膜24の端部がそれらの低濃度拡散層26a,28a中に位置するように配置されている。フィールド酸化膜24のソース側には、ソース26とはフィールド酸化膜30により分離された位置にウエルコンタクト用拡散層32が形成されており、ソース26とウエルコンタクト用拡散層32が配線39により導通し、基板電位が与えられる。フィールド酸化膜24上にはゲート電極34が形成されており、配線38によりゲート電極34とドレイン28が導通し、配線38には入出力端子40と内部回路が接続される。

請求項（抜粋）：

フィールド酸化膜を挟んで配置され、半導体基板とは反対導電型で、基板コンタクト用拡散層よりも深く形成されたソース、ドレインと、前記フィールド酸化膜上に配置されたゲート電極と、ゲート電極とドレインとを導通させた第1の導電性配線と、ソースと前記基板コンタクト用拡散層とを導通させた第2の導電性配線とを備え、外部入出力端子を第1の導電性配線に接続し、ドレインを内部回路に接続し、第2の導電性配線に一定電位を与えることを特徴とする半導体装置の入出力保護回路。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/06 311 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/06 311 C , H01L 27/04 H , H01L 29/78 301 K

Fターム (46件)：

5F038AR01 , 5F038BH02 , 5F038BH05 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F038BH15 , 5F038CA05 , 5F038EZ04 , 5F038EZ12 , 5F038EZ13 , 5F038EZ15 , 5F038EZ16 , 5F038EZ20 , 5F040DA00 , 5F040DA20 , 5F040DA23 , 5F040DA24 , 5F040DB03 , 5F040DB06 , 5F040DB10 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040EC10 , 5F040ED09 , 5F040EF13 , 5F040EH02 , 5F040EH05 , 5F040EJ03 , 5F040EK01 , 5F040EM00 , 5F048AA02 , 5F048AB06 , 5F048AB07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BC05 , 5F048BF02 , 5F048BF17 , 5F048BG12 , 5F048CC01 , 5F048CC06 , 5F048CC08 , 5F048CC09 , 5F048CC15 , 5F048CC16

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体保護回路及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-230678 出願人：株式会社東芝
特開平1-194474
静電気保護装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-018582 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

全件表示

前のページに戻る