ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：森哲也 , 内藤嘉昭 , 崔秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-051091
公開番号（公開出願番号）：特開2005-272460
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】高い移動度を発現し且つ耐酸化性に優れる有機半導体材料を提供する。また、高い移動度を有する有機半導体薄膜、及び、電子特性の優れた有機半導体素子を提供する。【解決手段】ソース・ドレイン電極として金電極のパターンを形成したシリコン基板上に、6,13位にハロゲン元素を導入したペンタセン化合物の薄膜を形成し、トランジスタ構造とした。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記の化学式(I)で表されるような構造を有することを特徴とするポリアセン化合物。

IPC (5件)：

C07C25/22 , C07C17/357 , C07C35/44 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (5件)：

C07C25/22 , C07C17/357 , C07C35/44 , H01L29/78 618B , H01L29/28

Fターム (26件)：

4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AA03 , 4H006AB91 , 4H006AC12 , 4H006AC30 , 4H006AC41 , 4H006BC10 , 4H006BE23 , 4H006EA37 , 4H006FC56 , 4H006FE12 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44

引用特許：

審査官引用 (4件)

有機エレクトロルミネッセンス素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-339603 出願人：日本電気株式会社
有機エレクトロルミネッセンス素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-158938 出願人：日本電気株式会社
特許第4647496号

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引用文献：

審査官引用 (4件)

Relationship between the cycloaddition activation energy and thermal effect in solutions
Studies on stabilities and electronic polarizabilities of polyacene homolog substituted by Cl
Thermal transformations of meso-acenic photooxides. VI. Pentacenic photooxides

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