特許
J-GLOBAL ID：200903041346604470
磁気抵抗効果素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-207906
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036455
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【構成】 外部磁界21(又はHext)に対して磁化のスピンが回転する動作層(フリー層)42と非磁性層(スペーサ)43と磁化固定用の磁性層(ピン層又は硬磁性層)44、45又は47とがこの順に或いはこれとは逆の順に積層された積層構造を有し、動作層42の厚みが 5.0nm以下である磁気抵抗効果素子(特にスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子:SV素子)。【効果】 動作層と非磁性層と磁化固定層との積層構造を有する磁気抵抗効果素子において、動作層のAMR効果(異方性磁気抵抗効果)を抑えて素子の動作線形性を向上させ、磁界感度も向上させ、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとして用いるときのヘッド再生出力の波形歪を低減し、十分な再生出力を得、その電磁変換効率及び記録密度を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
外部磁界に対して磁化のスピンが回転する動作層と非磁性層と磁化固定用の磁性層とがこの順に或いはこれとは逆の順に積層された積層構造を有し、前記動作層の厚みが 5.0nm以下である磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, C23C 14/06
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/26
H01L 43/08 Z
, C23C 14/06 T
, G11B 5/39
, H01F 10/26
, G01R 33/06 R
