特許

J-GLOBAL ID：200903041361817854

絶縁物分離半導体装置

発明者： 磯部 良彦 ,  飯田 眞喜男
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-258738
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115128
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】配線レイアウトが容易で集積度を向上可能な絶縁物分離半導体装置を提供する。【構成】第1発明の絶縁物分離半導体装置では、一対の島状半導体領域100、101の間にトレンチ埋設領域300、301を挟んで介設されてこれら島状半導体領域100、101内の結晶欠陥を低減する単結晶のN型結晶欠陥抑止領域200の上方に多層配線接続用のビアホール22が開口される。第2発明の絶縁物分離半導体装置では、隣接する一対の前記島状能動素子セル領域100、101に挟まれるN型結晶欠陥抑止領域200及びその両側の一対のトレンチ埋設領域300、301の上方にまたがって、ビアホールが開口される。

請求項（抜粋）：

一対の絶縁物隔壁及びその間のポリシリコン溝埋め領域からなるトレンチ埋設領域により側面が絶縁分離されて規則的に配列されるとともに、内部に素子を内蔵する複数の島状半導体領域と、前記トレンチ埋設領域を挟んで前記各島状半導体領域を囲包するN型単結晶欠陥抑止領域と、前記島状半導体領域、前記ポリシリコン溝埋め領域及び前記N型結晶欠陥抑止領域上に絶縁膜を介して延設される下層電極配線と、前記N型結晶欠陥抑止領域の上方のみにて前記下層電極配線上の層間絶縁膜に開口されるビアホールと、前記層間絶縁膜上に延設され、前記ビアホールを通じて前記下層電極配線に接続される上層電極配線と、を備えることを特徴とする絶縁物分離半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 27/06 321 C ,  H01L 27/06 321 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-234042
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-249371   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196353   出願人：九州日本電気株式会社
• 特開平4-067656