シリコン単結晶中の酸素析出挙動を割り出す方法、およびシリコン単結晶ウエーハ製造工程の決定方法、並びにシリコン単結晶中の酸素析出挙動を割り出すためのプログラムを記録した記録媒体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325429
公開番号（公開出願番号）：特開平11-147789
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】初期酸素濃度や熱処理条件等のファクタが分かれば、プログラムされたコンピュータにて数値計算することにより、きわめて短時間で、簡単かつ正確に熱処理中あるいは熱処理後のシリコン中の酸素析出量、内部欠陥密度を割り出すことが出来る方法を提供する。【解決手段】プログラムされたコンピュータによってシリコン単結晶中の酸素析出挙動を割り出す方法において、シリコン単結晶中の初期酸素濃度と、単結晶中の不純物濃度または抵抗率と、シリコン単結晶に加えられる熱処理条件を入力し、該熱処理後のシリコン単結晶中の酸素析出量、内部欠陥密度を算出する方法。および、この方法によって、各ファクタ依存性を求めておき、これを用いて特定ウエーハ工程中あるいは工程後において所望酸素析出量、内部欠陥密度となるように、用いるシリコン単結晶ウエーハの初期酸素濃度、不純物濃度、抵抗率、結晶熱履歴を決定する方法。

請求項（抜粋）：

プログラムされたコンピュータによってシリコン単結晶中の酸素析出挙動を割り出す方法において、シリコン単結晶中の初期酸素濃度と、単結晶中の不純物濃度または抵抗率と、シリコン単結晶に加えられる熱処理条件を入力し、該熱処理後のシリコン単結晶中の酸素析出量、内部欠陥密度を算出することを特徴とする、シリコン単結晶中の酸素析出挙動を割り出す方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 , H01L 21/322 , H01L 21/02

FI (3件)：

C30B 29/06 502 H , H01L 21/322 Y , H01L 21/02 B

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開昭60-249336
特開昭63-146437
特開平2-090531

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